问题描述：
[单选]
晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。
A．n型掺杂区
B．P型掺杂区
C．栅氧化层
D．场氧化层
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