问题描述：
[多选]
下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。
A．RC可以是硅的氮化物
B．可用干法刻蚀除去
C．ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成
D．ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层
E．ARC膜也可以通过CVD的方法形成
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