问题描述：
[单选]
悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时，采用快速区熔法的工艺时，第一次区熔时，第一区熔区停留挥发时间（）左右。
A．3ｍｉｎ
B．5ｍｉｎ
C．7ｍｉｎ
D．10ｍｉｎ
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