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[判断]早期的半导体公司大多成立于美国的硅谷。
[判断]半导体激光器中没有谐振腔结构。
[判断]光探测器设计的标准是：半导体材料的禁带宽度只要高于被探测光能量即可。
[判断]对于同种半导体材料，通常PIN型光探测器的灵敏度要高于APD光探测器。
[判断]BJT可用于恒定电流源的设计。
[判断]MOSFET的饱和漏极电流大小是由漏极电压决定的。
[判断]n型增强型MOSFET的基底是n型半导体。
[判断]金属与n型半导体接触形成欧姆接触，此时金属的功函数应当大于半导体的功函数。
[判断]pn结加反偏压时，总电流为0。
[判断]通常来说，晶格常数较大的半导体禁带宽度也较大。
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