问题描述：
[单选]
单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。
A．氮化硅
B．二氧化硅
C．光刻胶
D．多晶硅
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