问题描述:
[单选]
APTK14 3.96_V4 Gate 过程内维修发现GO, 发生位置在KLM (A对面长边),发生原因:IF Buffer堆积后,设备前端某些单元会停留,导致单元TT长,影响工艺,导致产品不良;当IF 堆满后,设备前端玻璃停留的单元是()
A.SB CP内停留
B.VCD 完成后,在VCD 出口停留
C.Cleaner AK
D.DB In Buffer & CP &OUT Buffer&Exit
参考答案:查看无
答案解析:无
☆收藏
答案解析:无
☆收藏
上一篇:膜层脱落,目前主要发生在SD (MO/AL/MO)结构上,产生机理工艺设计问题;RW 后该膜层脱落会导致脱落于Cleaner 单元,导致Remain风险; 如果DIPI 监控到大量膜层脱落现象,设备端可以清洁(),减少脱落对产品和PI抓图效果影响
下一篇:针对ESD不良,目前TRACK 主要通过XRAY 方式进行改善,确保XRAY的使用效果,针对XRAY的管控方面,目前每日进行点检,如果发现设备XRAY 超时报警,需要进行及时更换,目前设备端XRAY 的使用时间()H,超过该时间XRAY Head就会报警
- 我要回答: 网友(216.73.216.135)
- 热门题目: 1.卖方与买方签订了合同。 在项 2.您是公司的项目经理。项目的一 3.您刚刚开始作为项目经理进行项
