当前位置:百科知识 > 集成电路制造工艺员(三级)试题

问题描述:

[单选] 干氧氧化法有一些优点,但同时它的缺点有()。
A.生长出的二氧化硅中引入很多可动离子 B.氧化的速度慢 C.生长的二氧化硅缺陷多 D.生长的二氧化硅薄膜钝化效果差
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