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集成电路制造工艺员(三级)试题
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[单选]
在热扩散工艺中的预淀积步骤中,硼在950~1100℃的条件下,扩散时间大约()为宜。
[单选]
在热扩散工艺中的预淀积步骤中,硼在900~1050℃的条件下,扩散时间大约()为宜。
[单选]
在热扩散工艺中的预淀积步骤中,磷的扩散温度为()。
[单选]
在热扩散工艺中的预淀积步骤中,砷和锑的扩散温度为()。
[多选]
下列扩散杂质源中,()不仅是硅常用的施主杂质,也是锗常用的施主杂质。
[单选]
半导体硅常用的受主杂质是()。
[单选]
化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是()。
[单选]
半导体硅常用的施主杂质是()。
[单选]
在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时,需要将硅片先装入(),然后再装入扩散炉。
[单选]
通常热扩散分为两个大步骤,其中第一个步骤是()。
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